庄闲和游戏官网

中文 EN
首页
关于庄闲和游戏官网
新品宣布
N100V MOSFET：给PD电源安排“低耗抗造”超顶内核~
N100V MOSFET：给PD电源安排“低耗抗造”超顶内核~ 返回
 新产品宣告

产品先容 庄闲和游戏官网科技最新推出了一系列用于PD电源的N100V MOSFET产品，产品接纳特殊优化的SGT手艺，具有较低的导通电阻Rdson和栅极电荷Qg，显着降低导通和开关消耗，同时提升了MOSFET抗雪崩攻击能力 。
产品特点 1.接纳最新优化的SGT工艺, 产品内阻低，开关特征优异；
2.接纳PDFN5*6-8L 封装，适用于PD电源同步整流应用；
3.针对电源应用的种种事情状态, 优化MOS产品EAS能力，提高产品的可靠性 。
规格书

YJG4D6G10H YJG5D2G10H YJG6D3G10H YJG7D4G10H YJG8D0G10H

相关新品

TO-247AC防反整流二极管——大功率电源的电路“防护盾”

用于汽车PTC的IGBT单管新品

便携式储能电源专用插件类快恢复桥

1200V 40mΩ 碳化硅MOSFET

超薄省空间，散热开“外挂”，SOD-323HE封装TVS上新

突破硅基局限，SiC MOSFET解锁光伏微逆与工业电源新能效

SOD-123HE 二极管

Qrr&Vf 双优! TO-247AC FRED：高效整流“实力派”

整流+制动新结构IGBT�？�，适配伺服变频系统紧凑型设计需求

SOD-123FL封装功率ESD

Privacy Cookies 本网站使用浏览器纪录 Cookies 来优化您的使用体验，相关信息请会见我们的执法声明与隐私声明 。若是您选择继续浏览这个提醒，便体现您已接受我们网站的使用条款 。

网站地图