庄闲和游戏官网

中文 EN
首页
关于庄闲和游戏官网
新品宣布
650V Super Junction N-Channel MOSFET
650V Super Junction N-Channel MOSFET 返回
 新产品宣告

产品先容 1.接纳庄闲和游戏官网科技特殊多层外延工艺制程设计的650V系列超结产品，可以知足低导通消耗、低开 关消耗、EMI兼容性以及差别电路拓扑结构应用要求，产品具有优异的导通内阻（Rdson)和栅 极电荷（Qg)性能，降低导通消耗和开关消耗，更低的开关噪声、更低的Trr，综合提升系统稳 定性及性能。
2.开关速率与EMI平衡、更低的Trr特点，适用于充电器，电源适配器，TV电源、工业电源等领 域，亦可知足一些半桥或种种桥式电路拓扑结构应用要求。
产品特点 1.接纳庄闲和游戏官网科技特殊多层外延工艺制程设计，具有更高的工艺稳固性和可靠性，开关速率与EMI 平衡、更低的Trr特点；
2.系列产品具有低导通电阻、低栅极电荷、导通消耗和开关消耗低的特点；
3.接纳TO-252/ITO-220AB封装，具有更好的热值特征。
规格书
相关新品

六单位IGBT�？�，伺服变频等应用的优选

IGBT变频器应用系列C2&E3�？�

SGT N80-85V Power MOSFET

半控整流+制动新突破，IGBT�？槲欧淦荡蟮缌鞲衬�

IGBT快速系列

100V TOLL Package MOSFET

高温场景”稳“字诀——耐高温肖特基贴片二极管新品

新一代TO-247-4L车规IGBT单管——800V PTC加热器的“硬核新伙伴”

应用于汽车电子、家电等的SOD-323HE二极管

用于以太网供电(PoE/PoE+)的N150V SGT MOSFETs新品

Privacy Cookies 本网站使用浏览器纪录 Cookies 来优化您的使用体验，相关信息请会见我们的执法声明与隐私声明。若是您选择继续浏览这个提醒，便体现您已接受我们网站的使用条款。

网站地图