庄闲和游戏官网

中文 EN
首页
关于庄闲和游戏官网
新品宣布
120V SGT工艺N-Channel MOSFET
120V SGT工艺N-Channel MOSFET 返回
 新产品宣告

产品先容 1.接纳庄闲和游戏官网科技SGT特殊工艺制程，凭证电机驱动和电源应用要求，优化导通内阻（Rdson)和 栅极电荷（Qg)性能，降低导通消耗和开关消耗，提升系统效率 ；
2.解决高速Gan电源应用时di/dt大带来的副边电压尖峰高的问题，提升产品整体的可靠性 。
产品特点 1.接纳庄闲和游戏官网科技SGT特殊工艺制程设计，具有更高的工艺稳固性和可靠性 ；
2.系列产品具有更快的开关速率，更小的栅电荷和更高的应用效率 ；
3.接纳PDFN5060封装，更好的热阻特征 。
规格书

YJG88G12A

相关新品

N100V MOSFET：给PD电源安排“低耗抗造”超顶内核~

SOD-323HE瞬态抑制二极管

高结温超快恢复二极管

用于负载开关的P 40V Trench新品

应用于面板端口的ESD产品

用于PD VBUS的N30V Trench MOSFET

三相整流� ？镹5/N6产品

1200V 40mΩ 碳化硅MOSFET

SOD-123HE 二极管

应用于汽车PTC的80A/1200V IGBT单管

Privacy Cookies 本网站使用浏览器纪录 Cookies 来优化您的使用体验，相关信息请会见我们的执法声明与隐私声明 。若是您选择继续浏览这个提醒，便体现您已接受我们网站的使用条款 。

网站地图